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Si3905DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
V GS = 5 V thru 3 V
2.5 V
8
6
T C = - 55 °C
25 °C
4
2V
4
125 °C
2
0
1.5 V
1V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
0.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.3
0.2
V GS = 2.5 V
V GS = 3.6 V
V GS = 4.5 V
600
400
200
C oss
C iss
0.1
C rss
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
V DS = 5 V
I D = 2.5 A
1.6
V GS = 4.5 V
I D = 2.5 A
1.4
3
2
1.2
1.0
0.8
1
0.6
0
0.4
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70973
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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